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測試服務(wù)

測試服務(wù)

Testing service

薄膜應(yīng)力測試
儀器簡介：
薄膜應(yīng)力儀，系統(tǒng)采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以對(duì)薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行精確的測量，而且還可二維應(yīng)力Mapping成像統(tǒng)計(jì)分析；同時(shí)可精確測量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系；
技術(shù)參數(shù)：
1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍：300mm；2m (XY)（可選）； 
2.掃描速度：20mm/s（x,y）； 
3. XY雙向掃描平臺(tái)掃描*小步進(jìn)/分辨率：1 μm； 
4.平均曲率分辨率：2×10-5 1/m (1-sigma)； 
5.中心曲率測量范圍：Minimum Concave: 2.0m，Minimum Convex: -2.0m; 
                               Maximum Concave: 50km Maximum Convex: - 50km; 
6.應(yīng)力測量精度：1% 或0.32MPa; 
7.中心應(yīng)力測量范圍：Minimum Concave: 0.32MPa Minimum Convex: 0.32MPa； 
                               Maximum Concave: 7.80 GPa Maximum Convex: 7.80 GPa
8.應(yīng)力測量分辨：0.32MPa;
9.平均應(yīng)力重復(fù)性：0.02MPa；
10.Bow測量高度：0.67mm；
11.Bow測量分辨率：30nm；



為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用？
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2024-11-27

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【半導(dǎo)體材料】電子封裝材料有哪些？
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2024-11-29

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【MEMS工藝】三種常見CVD技術(shù)，你知道的有哪些？
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2024-11-04

本文將詳細(xì)介紹目前三種常見的CVD技術(shù)——低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及高密度等離子體化學(xué)氣相沉...

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2024-11-05

在半導(dǎo)體芯片制造中，從原材料處理到最終封裝測試，整個(gè)流程涉及上千道工序，每一環(huán)節(jié)都需要精確控制，以確保芯片的性能與質(zhì)量。隨著科技的飛速發(fā)展，...

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