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石英掩膜版
蘇打玻璃常用在STN-LCD、TN-LCD、FED、EL行業(yè)專用光學(xué)掩模版基材
類別 石英掩膜版
常規(guī)尺寸(mm) 3"X3", 4"X4", 5"X5", 6"X6", 7"X7", 9"X9", 12"X12", 14"X17", 16"X18",20”x24”
450mm×550mm,400mm×400mm, 700mmX800mm
最大尺寸(mm) 850*1200
特殊尺寸(mm) 按客戶要求定做（XY=20~609mm）
基材厚度(mm) 2.3  3.0  5.0    6.4    8.0
鉻膜類型 　　　ARC Anti-Reflective Chrome
熱性能（℃） 1730℃
溫度收縮系數(shù) 5.0*10-7 /℃ (20~200℃)
透過(guò)率 >90%(T=2.3mm；l=200nm）
折射率 1.46
垂直入射反射率 約2%（片面反射約1%）
耐酸性能 H2SO4(80℃,98%) 0.0?/min
耐堿性能 NaOH（Wt2%）0.4?/min
表面平整度 <20um（400*400*3.0mm)

小尺寸鉻版（≤9英寸）
類別 超高精度/高精度（228.6mm*228.6mm） 中精度/低精度（228.6mm*228.6mm）
線縫尺寸
（μm） 		線縫精度
（μm） 		垂直度
（urad） 		總長(zhǎng)精度
（μm） 		位置精度
（μm） 		線縫尺寸
（μm） 		線縫精度
（μm） 		垂直度
（urad） 		總長(zhǎng)精度
（μm） 		位置精度
（μm）
石英 ≥1 ≤0.5 ≤0.5 <0.3 ≤0.1 ≥3 ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5 ≤0.2

大尺寸鉻版（>9英寸）
類別 超高精度/高精度（400mm*450mm） 中精度/低精度（400mm*450mm）
線縫尺寸
（μm） 		線縫精度
（μm） 		垂直度
（urad） 		總長(zhǎng)精度
（μm） 		位置精度
（μm） 		線縫尺寸
（μm） 		線縫精度
（μm） 		垂直度
（urad） 		總長(zhǎng)精度
（μm） 		位置精度
（μm）
石英 ≥2 ≤0.5 ≤0.5 ≤0.75 ≤0.5 ≥5 ≤1 ≤1 ≤1 ≤0.75
【MEMS工藝】三種常見(jiàn)CVD技術(shù)，你知道的有哪些？
【MEMS工藝】三種常見(jiàn)CVD技術(shù)，你知道的有哪些？

2024-11-04

本文將詳細(xì)介紹目前三種常見(jiàn)的CVD技術(shù)——低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及高密度等離子體化學(xué)氣相沉...

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【微納加工】晶圓傳輸設(shè)備，是智能制造加速器還是成本黑洞？
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2024-11-05

在半導(dǎo)體芯片制造中，從原材料處理到最終封裝測(cè)試，整個(gè)流程涉及上千道工序，每一環(huán)節(jié)都需要精確控制，以確保芯片的性能與質(zhì)量。隨著科技的飛速發(fā)展，...

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【半導(dǎo)體材料】當(dāng)微流控技術(shù)遇上神奇的超疏水材料
【半導(dǎo)體材料】當(dāng)微流控技術(shù)遇上神奇的超疏水材料

2024-11-06

超疏水表面材料以其對(duì)水的高度排斥性，不僅改變了我們對(duì)物質(zhì)與水之間相互作用的傳統(tǒng)認(rèn)知，更在船舶浮力提升、管道運(yùn)輸優(yōu)化、織物功能拓展以及微流體控...

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【MEMS工藝】揭秘RDL工藝——重塑芯片I/O布局
【MEMS工藝】揭秘RDL工藝——重塑芯片I/O布局

2024-11-07

RDL（Redistribution Layer，重布線層）工藝在先進(jìn)封裝領(lǐng)域發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。它不僅優(yōu)化了芯片的I/O布局，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率，還為芯片的...

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