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通用去膠方案
點擊量:326 日期:2023-08-10 編輯:硅時代
在去膠發(fā)生困難的情況下(例如在密集的等離子蝕刻或濺射之后),超聲或兆聲清洗會對去除光刻膠帶來很大的幫助。但是,在此過程中必須保護襯底上的敏感結(jié)構(gòu),否則將其破壞如下圖1所示,所以我們建議這種帶有高深寬比的結(jié)構(gòu)的樣品最好使用兆聲輔助而不是超聲輔助處理。由于溶解的光刻膠的含量增加,去膠劑隨著長時間的發(fā)展其去膠效果在逐漸變?nèi)酢<词谷晕催_到理論上的飽和極限(遠高于50%的固含量),使用過溶液會隨著顆粒的富集并變得不透明,因此不再適合進行重復清洗。常見的做法是級聯(lián)清洗。在此過程中,去除劑用于三個不同的清洗步驟。將樣品放在第一個溶液池中,此步驟中幾乎完全去除光刻膠殘留物。然后將樣品轉(zhuǎn)移到第二個溶液池中,然后轉(zhuǎn)移到第三個槽中,在最后一個步驟后用去離子水沖洗干凈。一旦達到預定的溶解能力,就將第一個浴液丟棄,將第二個和第三個浴液向上移動一個位置。
圖1 LIGA工藝中使用超聲40k Hz(左圖)以及兆聲1M Hz處理后的結(jié)構(gòu)損壞情況
除此之外的功能還可以通過強氧化酸來實現(xiàn),例如王水,食人魚,硫酸或硝酸。這些酸用于最終清潔。但是除了環(huán)境保護方面(廢酸的處理),這些混合物通常不僅侵蝕光刻膠,而且也會腐蝕襯底表面的其他材料。
在很多情況下,由于后續(xù)的工藝如過高的溫度、長時間干法刻是、高劑量的離子注入后都會導致光刻膠膜的交聯(lián)度太高或者光刻膠膜發(fā)生變性甚至碳化,從而無法利用濕法除光刻膠,這時候我們可以采用氧等離子去膠機進行去膠。 需要注意,市面上常見的等離子去膠機有射頻和微波等離子去膠機兩種。兩者的本質(zhì)區(qū)別是等離子的激發(fā)方式不一樣,對應的反應方式也是有區(qū)別的,射頻等離子去膠機除了氧等離子與碳氫化合物反應外,還伴隨這比較重的離子轟擊樣品表面,會有一定的物理損傷,在光電子器件等對損傷敏感的應用中需要注意。另外,氧等離子體有可能會氧化襯底或者襯底表面的其他材料如鋁膜等。