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電子束蒸發(fā)鍍膜
點(diǎn)擊量:438 日期:2023-08-01 編輯:硅時(shí)代
一、電子束蒸發(fā)鍍膜簡(jiǎn)述:
電子束蒸發(fā)鍍膜(Electron Beam Evaporation)是物理氣相沉積的一種,與傳統(tǒng)蒸鍍方式不同,電子束蒸鍍利用電磁場(chǎng)的配合可以精準(zhǔn)地實(shí)現(xiàn)利用高能電子轟擊坩堝內(nèi)靶材,使之融化進(jìn)而沉積在基片上,電子束蒸鍍可以鍍出高純度高精度的薄膜。
在高真空下,電子槍燈絲加熱后發(fā)射熱電子,被加速陽(yáng)極加速,獲得很大的動(dòng)能轟擊到的蒸發(fā)材料上,把動(dòng)能轉(zhuǎn)化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化,而實(shí)現(xiàn)電子束蒸發(fā)鍍膜。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽(yáng)極的鍍膜材料組成。電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中,使鍍膜材料局部達(dá)到高溫而蒸發(fā)。通過調(diào)節(jié)電子束的功率,可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率,特別是有利于高熔點(diǎn)(Pt、W、Mo、Ta)以及高純金屬和化合物材料。
二、蒸鍍?cè)恚?/strong>
電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料,電子的動(dòng)能轉(zhuǎn)換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發(fā),并成膜。電子槍有直射式、環(huán)型和E型之分。電子束加熱蒸鍍的特點(diǎn)是能獲得極高的能量密度,最高可達(dá)109w/cm2,加熱溫度可達(dá)3000~6000℃,可以蒸發(fā)難熔金屬或化合物。被蒸發(fā)材料置于水冷的坩堝中,可避免坩堝材料的污染,制備高純薄膜。另外,由于蒸發(fā)物加熱面積小,因而熱輻射損失減少,熱效率高;但結(jié)構(gòu)較復(fù)雜,且對(duì)較多的化合物,由于電子的轟擊有可能分解,故不適合多數(shù)化合物的蒸鍍。
電子束蒸鍍常用來(lái)制備Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜,SiO2、ZrO2膜,抗腐蝕和耐高溫氧化膜。
三、電子束蒸發(fā)鍍膜的特點(diǎn):
電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)是在工業(yè)中比較常使用的薄膜制造設(shè)備,由于蒸發(fā)鍍膜機(jī)的特點(diǎn)在生產(chǎn)薄膜的時(shí)候發(fā)揮了巨大的作用,薄膜的產(chǎn)生主要是通過鍍膜機(jī)中的電子束的加熱產(chǎn)生的。
1、電子束加熱蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)點(diǎn)
(1)鍍膜機(jī)中的電子束加熱的方法與傳統(tǒng)的電阻加熱的方法相比,電子束加熱會(huì)產(chǎn)生更高的通量密度,這樣的話對(duì)于高熔點(diǎn)(熔點(diǎn)3000°C以上)的材料的蒸發(fā)比較有利,而且還可以使蒸發(fā)的速率得到一定程度上的提高。
(2)蒸發(fā)鍍膜機(jī)在工作的時(shí)候會(huì)將需要被蒸發(fā)的原材料放入到水冷銅坩堝內(nèi),這樣就可以保證材料避免被污染,可以制造純度比較高的薄膜。
(3)電子束蒸發(fā)的粒子動(dòng)能比較的大,這樣會(huì)有利于薄膜的精密性和結(jié)合力。
(4)熱量可直接加到蒸鍍材料的表面,因而熱效率高,熱傳導(dǎo)和熱輻射的損失少。
2、電子束加熱蒸發(fā)鍍膜的缺點(diǎn)
(1)電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)的整體的構(gòu)造比較復(fù)雜,價(jià)格相較于其他的鍍膜設(shè)備而言比較的偏高。
(2)鍍膜機(jī)在工作的時(shí)候,如果蒸發(fā)源附近的蒸汽的密度比較高的話,就會(huì)使得電子束流和蒸汽粒子之間發(fā)生一些相互的作用,將會(huì)對(duì)電子的通量產(chǎn)生影響,使得電子的通量散失或者偏移軌道。同時(shí)還可能會(huì)引發(fā)蒸汽和殘余的氣體的激發(fā)和電離,以此影響到整個(gè)薄膜的質(zhì)量。